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参数目录39436
> NE85630-T1-R25-A TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
型号:
NE85630-T1-R25-A
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
CEL
描述:
TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
NE85630-T1-R25-A PDF
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
12V
频率 - 转换
4.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率)
1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益
6dB ~ 12dB
功率 - 最大
150mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
40 @ 7mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商设备封装
SOT-323
包装
带卷 (TR)
查看NE85630-T1-R25-A代理商
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